2022年7月15日下午，清華大學天津電子信息研究院（以下簡稱“電子院”）“微納結構光電子芯片關鍵制備工藝及應用”科技成果鑒定會在清華同方科技廣場順利舉辦。

鑒定會由中國電子學會主辦，中國科學院半導體所祝寧華院士擔任鑒定委員會主任委員，南京大學祝世寧院士、西北工業大學黃維院士擔任副主任委員。鑒定委員會成員還有國家自然基金委信息科學部主任郝躍院士、東南大學校長黃如院士、東南大學崔鐵軍院士、中科院光電技術研究所所長羅先剛院士、中國科學院電子研究所夏善紅研究員、北京理工大學張向東教授、北京大學胡小永教授、南開大學物理科學院副院長薄方教授、北京郵電大學郭霞教授。

清華大學曾嶸副校長出席會議并致辭。信息學院院長戴瓊海院士、科技成果獎勵辦公室孟憲飛主任、電子工程系主任及電子院院長汪玉、電子院常務副院長王瀚晟也參加了會議。

電子院特聘院長黃翊東教授匯報了近二十年來積淀的成果。從微納結構光電特性的物理機理出發，面向光子晶體、表面等離激元、光聲微腔等典型的微納光電子效應，在光電子微納結構的關鍵制備工藝上取得原創突破，成功研制出多種類國際領先的光電子芯片，并為400余個科研團隊的前沿研究和企業的新產品研發提供定制的微納結構芯片加工和工藝開發，建立起了跨材料體系的微納光電子芯片代工平臺。

鑒定委員會認真聽取了相關報告，并仔細質詢討論了成果的細節，對成果給予了高度評價。認為成果創新性強，在深刻蝕光子晶體制備技術、納米級平整度金屬薄膜制備技術、超大長寬比懸臂梁光聲晶體制備技術等方面達到國際領先水平；有力促進了我國在新型光電子芯片領域的創新研究及產業發展，產生了重大的經濟和社會效益。同意“微納結構光電子芯片關鍵制備工藝及應用”項目通過科技成果鑒定。

本成果的主要完成單位依次為：清華大學天津電子信息研究院、清華大學、天津華慧芯科技集團有限公司、北京與光科技有限公司、歌爾股份有限公司。